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光纖通信的MEMS光歐瑪爾OMAL開關(guān)
隨著光纖通信網(wǎng)絡的快速發(fā)展，對光無源器件包括光OMAL開關(guān)的需求越來越大，光OMAL開關(guān)是用來重新配置光網(wǎng)絡或增加其可靠性的。對于局域網(wǎng)來說，降低光無源器件的成本是關(guān)鍵。近階段，大家正在把MEMS技術(shù)用在制造光OMAL開關(guān)上面，因為用MEMS技術(shù)可提高光OMAL開關(guān)的性能，同時減小器件的體積、成本，zui為重要的一點是它可以把光OMAL開關(guān)做在一塊硅片上，能夠大規(guī)模集成光OMAL開關(guān)陣列，這對于波分復用器DWDM是很重要的。

光纖通信的MEMS光歐瑪爾OMAL開關(guān)
MEMS光OMAL開關(guān)是采用表面微細機械加工技術(shù)制作而成，硅表面微機械加工技術(shù)是以CMOS集成電路工藝為基礎的，它可以靈活地把光OMAL開關(guān)集成在一塊硅片上。利用硅表面微加工技術(shù)設計出一種磁力驅(qū)動懸臂梁式光OMAL開關(guān)，此MEMS微光OMAL開關(guān)的特性是光與光直接轉(zhuǎn)接，不再通過光—電—光轉(zhuǎn)換，使光的傳輸和轉(zhuǎn)接達到*狀態(tài)。磁力驅(qū)動方式在MEMS領域得到越來越多的應用，因為磁力驅(qū)動有以下好處，首先磁力驅(qū)動所需要的電壓遠遠小于靜電力驅(qū)動電壓。其次，磁力驅(qū)動可以得到自鎖定的光OMAL開關(guān)，實現(xiàn)在保持“開”、“關(guān)”狀態(tài)都不需要電壓，大大節(jié)省能源，達到環(huán)保的效果。再次，磁力驅(qū)動的控制方法比靜電驅(qū)動、熱驅(qū)動、壓電驅(qū)動簡單得多，而且對于要求實現(xiàn)大撓度的應用來說，是zui為理想的驅(qū)動方式。zui后，zui為關(guān)鍵的是磁驅(qū)動的基本材料與微機械加工技術(shù)是相兼容的，它們可以采用微機械加工方法進行加工。光OMAL開關(guān)的切換可以通過懸臂梁下端的電磁鐵線圈中的電流進行控制。該光OMAL開關(guān)的一些重要特性可總結(jié)如下：首先是采用磁力驅(qū)動可實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)，而且在兩個狀態(tài)下都可以不施加任何電壓；其次是低損耗，OMAL開關(guān)切換電流僅為80mA～100mA左右，電壓為2～5V左右；再其次是平面鏡與光纖可以實現(xiàn)自校正，大大降低了損耗和校正成本。主要研究工作首先對光OMAL開關(guān)市場及發(fā)展進行調(diào)研，其次簡單介紹MEMS技術(shù)及MEMS技術(shù)在光通訊中的應用，接著概述MEMS光OMAL開關(guān)研究現(xiàn)狀，提出MEMS光OMAL開關(guān)現(xiàn)存在的問題，探討靜電和電磁驅(qū)動方式，zui后提出課題的意文、主要內(nèi)容和研究方法。光OMAL開關(guān)結(jié)構(gòu)設計。首先根據(jù)電磁鐵的非線性特性和梁的抗彎曲力的線性特性，設計出磁力驅(qū)動懸臂梁式光OMAL開關(guān)結(jié)構(gòu)，然后根據(jù)提出的結(jié)構(gòu)，從理論上對懸臂梁的參數(shù)進行模擬分析選出合適的懸臂梁參數(shù)，緊接著分析平面鏡的厚度、表面粗糙度、垂直度對光OMAL開關(guān)性能的影響；工藝：首先簡單地介紹硅單晶的晶向以及各向異性腐蝕工藝中的清洗、氧化、光刻等基本知識；然后分析了TMAH各向異性腐蝕原理如TMAH對晶體晶向的選擇性，腐蝕速率與溶液溫度和濃度的關(guān)系，溶液濃度對被腐蝕晶體表面粗糙度的影響。zui后提出光OMAL開關(guān)工藝的設計方案，畫出工藝流程圖，模版，開始送實驗室制作。

光纖通信的MEMS光歐瑪爾OMAL開關(guān)
zui后對磁路系統(tǒng)，明確選擇具有矩形磁滯回線的材料，設計出電磁鐵的結(jié)構(gòu)。優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)。首先用ANSYS軟件對光OMAL開關(guān)系統(tǒng)進行磁-力耦合場分析，得出系統(tǒng)的整體優(yōu)化曲線和耦合圖；接著用能量法估算出懸臂梁的基振頻率；zui后分析光 OMAL開關(guān)的性能。