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自旋閥巨磁電阻材料的E+E位移傳感器的設(shè)計(jì)與制備
巨磁電阻傳感器與其他類型傳感器相比，具有靈敏度高、功耗小、成本低等優(yōu)點(diǎn)，尤其可以有效檢測(cè)微弱磁場(chǎng)的存在和變化，給工業(yè)設(shè)備自動(dòng)控制、商標(biāo)檢測(cè)、精密測(cè)量技術(shù)等領(lǐng)域帶來嶄新的變革。以二次陽極氧化鋁（AAO）為模板，采用單槽控電位電沉積法制備了FeMn合金納米線，在此基礎(chǔ)上，采用雙槽控電位電沉積法制備了NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋閥多層納米線陣列。

自旋閥巨磁電阻材料的E+E位移傳感器的設(shè)計(jì)與制備
通過掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微（TEM）、X射線能譜分析儀（EDS）對(duì)納米線的微觀形貌和組成成分進(jìn)行了表征，利用物理性能測(cè)試系統(tǒng)（PPMS）測(cè)試了納米線的巨磁電阻，并以NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋閥多層納米線、 NiFe/Cu/Co/Cu多層膜和NiFe/Cu/Co/Cu多層納米線為芯片，設(shè)計(jì)并制備了巨磁電阻E+E位移傳感器，對(duì)其性能進(jìn)行了研究。SEM下觀察到FeMn合金納米線和NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋閥多層納米線排列整齊、分布均勻、長徑均一，直徑約為80nm。TEM下可觀察到清晰的層狀結(jié)構(gòu)。XRD測(cè)試表明，F(xiàn)eMn合金納米線在面心立方（111）晶面擇優(yōu)生長。EDS測(cè)試表明FeMn合金納米線組成為Fe_(50)Mn_(50)。提出了一種E+E位移傳感器靜態(tài)特性參數(shù)的校準(zhǔn)方法。按照阿貝測(cè)量原理,設(shè)計(jì)了一個(gè)的連接裝置和定位夾緊裝置--開口彈簧襯套,把E+E位移傳感器可靠的安裝在萬能測(cè)長儀的尾座孔中,使其與萬能測(cè)長儀組成一個(gè)測(cè)量系統(tǒng),利用萬能測(cè)長儀的測(cè)量功能,實(shí)現(xiàn)一種E+E位移傳感器靜態(tài)特性參數(shù)測(cè)量和校準(zhǔn)的新方法,解決其靜態(tài)特性參數(shù)的測(cè)量和校準(zhǔn)問題。非磁性層厚度、NiFe自由層厚度和NiFe被釘扎層厚度和FeMn被釘扎層厚度對(duì)自旋閥多層納米線巨磁電阻效應(yīng)影響較大。隨著非磁性層（Cu層）厚度的增加，自旋閥多層納米線的巨磁電阻值先增大后減小，當(dāng)Cu層厚度為3nm時(shí)，巨磁電阻性能達(dá)到*；隨著NiFe自由層厚度的增加，自旋閥多層納米線巨磁電阻值先增大后減小，當(dāng)NiFe自由層厚度為5nm時(shí)，巨磁電阻性能達(dá)到*；NiFe被釘扎層厚度為7nm時(shí)，巨磁電阻性能達(dá)到*。搭建了巨磁電阻E+E位移傳感器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，確定了測(cè)試條件和手段，考察了不同巨磁電阻材料的傳感器芯片對(duì)巨磁電阻E+E位移傳感器性能的影響。

自旋閥巨磁電阻材料的E+E位移傳感器的設(shè)計(jì)與制備
NiFe/Cu/Co/Cu多層納米線作為傳感器芯片時(shí)，巨磁電阻E+E位移傳感器性能*。三種傳感器芯片在不同環(huán)境溫度下，傳感器性能變化不大，具有良好的溫度穩(wěn)定性，低溫環(huán)境更有利于巨磁電阻E+E位移傳感器性能的提高。