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聚合物/納米粒子界面對其復合薄膜電歐瑪爾OMAL開關(guān)特性
向有機薄膜中引入納米粒子(NPs)可在一定程度上改善其電OMAL開關(guān)特性。目前,基于有機分子包埋NPs薄膜的存儲器件雖取得了一些研究成果,但仍有很多問題亟待解決。首先,多次寫入擦除過程中,復合薄膜抗老化性存在很大缺陷。其次,薄膜微納結(jié)構(gòu)尤其是聚合物/NPs界面對其電OMAL開關(guān)特性的影響依然沒有有效的觀測和分析手段,認知較淺。zui后,目前雖然提出了電荷的捕獲與釋放、電荷轉(zhuǎn)移、分子構(gòu)象改變等OMAL開關(guān)機理,但并沒有直接的物理證據(jù)。

聚合物/納米粒子界面對其復合薄膜電歐瑪爾OMAL開關(guān)特性
為探究薄膜微納結(jié)構(gòu)對其電OMAL開關(guān)特性的影響,本文通過改變聚合物、NPs及分別引入給／受體分子調(diào)控聚合物/NPs界面,探究了聚合物分子、NPs性質(zhì)及給／受體分子對復合薄膜電學性質(zhì)的影響。薄膜測試及分析步驟如下：首先,測試薄膜表面形貌、伏安特性曲線,并統(tǒng)計其OMAL開關(guān)比、閾值電壓等。然后,根據(jù)理論輸運模型,即歐姆傳導、空間電荷限制電流效應及Schottky發(fā)射效應等對電流-電壓曲線進行擬合分析。zui后,引入*性原理計算及能級圖分析復合器件OMAL開關(guān)機理。具體內(nèi)容如下：首先,通過三種不同性質(zhì)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯咔唑(PVK)、9,9-二正辛基芴-苯并噻二唑共聚物(PFBT)分別包埋石墨烯碎片,進而研究聚合物分子對聚合物/NPs界面及其電OMAL開關(guān)特性的影響。結(jié)果表明薄膜電OMAL開關(guān)特性很大程度取決于聚合物導電性。絕緣性較好的PMMA引入石墨烯后,石墨烯碎片激發(fā)的載流子或形成的載流子通道對關(guān)狀態(tài)電流的促進作用大于其形成的缺陷對載流子的捕獲作用,導致關(guān)電流增加,OMAL開關(guān)比降低。對于導電性較好的PVK、PFBT,石墨烯碎片對載流子的捕獲作用則較大,器件電OMAL開關(guān)性能提高。此外,由于PFBT分子共軛結(jié)構(gòu)主鏈與飽和烷烴側(cè)鏈部分會形成較大電勢差。載流子進入主鏈后會被捕獲,烷烴鏈可阻擋載流子的逃逸,因此可提高器件性能。其次,通過向PVK、PFBT中分別引入本征P型NiO、N型ZrO2 NPs或摻雜氧化物NPs從而改變聚合物/NPs界面,研究NPs性質(zhì)對其復合薄膜電OMAL開關(guān)特性的影響。結(jié)果表明不同NPs對薄膜的影響與聚合物性質(zhì)有關(guān)。PVK包埋質(zhì)量分數(shù)較小的ZrO2、NiONPs時,會提高器件OMAL開關(guān)比,且ZrO2 NPs效果更顯著；而對于PFBT,由于其支狀側(cè)鏈在薄膜中形成較大間隙,NPs尺寸較小,基本不改變薄膜性質(zhì)。復合薄膜OMAL開關(guān)機制是電荷的捕獲與釋放,且陷阱捕獲作用與復合薄膜OMAL開關(guān)比、閾值電壓、電流-電壓雙對數(shù)變化線性部分斜率及轉(zhuǎn)換電壓成正比。另外,PVK包埋La摻雜ZrO2 NPs時,由于La元素降低了PVK的zui高占據(jù)軌道與ZrO2 NPs問能極差,即陷阱深度降低,減弱了對載流子的捕獲作用,La激發(fā)出的載流子也會增加關(guān)狀態(tài)電流,因此器件OMAL開關(guān)比減小。zui后,通過分別引入給/受體分子調(diào)控聚合物/NPs界面,即向PVK包埋Au NPs復合薄膜中分別引入給體、受體分子咔唑、吩嗪,探索界面對復合薄膜電學特性影響。實驗發(fā)現(xiàn)*次電壓掃描時,復合薄膜關(guān)電流較小,OMAL開關(guān)比較大；而后續(xù)電描中,其關(guān)電流則增加較大,OMAL開關(guān)比較*次減小兩個數(shù)量級。這可能是引入咔唑或吩嗪后,復合薄膜會產(chǎn)生較多陷阱,對應的OMAL開關(guān)比較大,但*次掃描器件由開到關(guān)的過程中,捕獲的載流子僅有部分釋放。

聚合物/納米粒子界面對其復合薄膜電歐瑪爾OMAL開關(guān)特性
因此后續(xù)掃描中,僅部分陷阱有捕獲作用,即對載流子捕獲作用減弱,從而降低了器件OMAL開關(guān)比。對比發(fā)現(xiàn),兩種小分子均極大程度上降低了復合薄膜電OMAL開關(guān)特性,且這種影響與小分子濃度無關(guān)。這可能是由于咔唑、吩嗪分子導電性較PVK好,激發(fā)出的大量載流子填充了薄膜中的部