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混沌OMAL歐瑪爾開(kāi)關(guān)調(diào)制技術(shù)降低電源EMI水平研究
對(duì)混沌OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)制技術(shù)降低OMAL開(kāi)關(guān)模式電源電磁干擾水平問(wèn)題進(jìn)行了深入研究。主要在以下幾個(gè)方面展開(kāi)了工作：對(duì)改善OMAL開(kāi)關(guān)模式電源電磁兼容性的具體措施進(jìn)行了綜述。被動(dòng)的方法具體有：濾波、屏蔽、接地、去耦、旁路等。從源頭上減小電磁干擾的方法有：各種諧振OMAL開(kāi)關(guān)技術(shù)(包括軟OMAL開(kāi)關(guān)技術(shù))、隨機(jī)OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)制技術(shù)、以及本文研究的混沌OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)制技術(shù)等。

混沌OMAL歐瑪爾開(kāi)關(guān)調(diào)制技術(shù)降低電源EMI水平研究
對(duì)隨機(jī)信號(hào)和混沌信號(hào)的特性進(jìn)行了分析比較。以“電路”作為混沌信號(hào)源，給出了生成混沌序列的原理及軟硬件實(shí)現(xiàn)方法。對(duì)生成的混沌序列進(jìn)行了相關(guān)性分析，結(jié)果表明混沌序列保持了混沌信號(hào)的特征。將隨機(jī)調(diào)制模式中的隨機(jī)部分用混沌信號(hào)替代，得到了多種混沌OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)制模式。較有名“電路”產(chǎn)生的混沌OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)制信號(hào)用于Buck型DC／DC變換器OMAL開(kāi)關(guān)的調(diào)制控制，使其工作在基于混沌的隨機(jī)模式。在介紹了模擬電路故障診斷的基本概念和方法之后,重點(diǎn)闡述了直流故障字典法的一般過(guò)程,以此為指導(dǎo)思想,提出了對(duì)無(wú)MMAL開(kāi)關(guān)的OMAL開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元電路進(jìn)行故障診斷的方法。去除MOSOMAL開(kāi)關(guān)的主要目的是減少電荷注入誤差對(duì)輸出電流的影響。采用的故障模型有四種故障類型:柵源短路,柵漏短路,漏極開(kāi)路,源極開(kāi)路。只考慮單故障的情況下,通過(guò)誤差電流的不同來(lái)進(jìn)行故障定位。HSPICE仿真結(jié)果表明只能對(duì)部分故障進(jìn)行定位,有些故障的誤差電流相近,不能區(qū)分開(kāi)來(lái)。通過(guò)對(duì)四種混沌調(diào)制模式下變換器輸入電流與周期PWM模式下輸入電流頻譜的分析比較表明，混沌調(diào)制技術(shù)在擴(kuò)展頻譜方面有良好的效果，可以用于降低OMAL開(kāi)關(guān)模式電源的電磁干擾(EMI)水平，改善電磁兼容性(EMC)。與隨機(jī)調(diào)制模式相同，混沌OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)制模式也引入輸出低頻噪聲紋波，有些情況下低頻噪聲紋波可能抵消混沌OMAL開(kāi)關(guān)調(diào)制降低EMI水平的效果。分析表明：CCFMFD模式具有較好的降低EMI水平和引入較小低頻紋波的優(yōu)點(diǎn)，可以作為混沌調(diào)制模式較佳的選擇。對(duì)不同混沌序列生成的混沌OMAL開(kāi)關(guān)信號(hào)降低EMI水平的效果進(jìn)行了對(duì)比分析。仿真結(jié)果表明：CPWM和CPPM模式下，Henon映射混沌序列在較低次諧波處降低EMI水平的效果要好于OMAL電路混沌序列的效果。CCFMFD模式則有相反的結(jié)果。對(duì)CCFMVD模式，OMAL電路混沌序列比Henon映射混沌序列降低EMI水平的效果明顯要好。

混沌OMAL歐瑪爾開(kāi)關(guān)調(diào)制技術(shù)降低電源EMI水平研究
不同混沌調(diào)制信號(hào)對(duì)輸出紋波影響的分析結(jié)果表明：CPPM、CPWM和CCFMVD模式下，Henon映射混沌序列引入低頻噪聲紋波比OMAL電路 摘要 混沌序列要小;CCFMFD模式下，OMAL電路混沌序列引入的低頻紋波 要小。這提示我們:在OMAL開(kāi)關(guān)模式電源使用混沌調(diào)制控制時(shí)混沌序列 的選擇也具有重要性。