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系統(tǒng)兼容性的DC-DC歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電源芯片研究
DC-DC歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電源芯片具有效率高,輸出電流大等特點(diǎn),已經(jīng)成為各種電子設(shè)備中*的重要器件。隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,電子設(shè)備的軟硬件性能,復(fù)雜度和集成度都在不斷提高。良好的系統(tǒng)兼容性成為DC-DC歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電源芯片的發(fā)展趨勢(shì)。以提高DC-DC歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電源芯片的系統(tǒng)兼容性為目標(biāo),著力研究DC-DC歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電源芯片中的關(guān)鍵技術(shù),并通過(guò)DC-DC芯片整體設(shè)計(jì)過(guò)程和投片測(cè)試結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。

系統(tǒng)兼容性的DC-DC歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電源芯片研究
主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)和研究成果包括:提出研究控制環(huán)路基準(zhǔn)方式的軟啟動(dòng)電路。電路采用數(shù)模轉(zhuǎn)換架構(gòu),通過(guò)串聯(lián)組合電阻和單位比例電流偏置提高軟啟動(dòng)電壓線(xiàn)性度,并且采用新穎的歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電流鏡結(jié)構(gòu)降低數(shù)字歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)噪聲?？朔爽F(xiàn)有軟啟動(dòng)技術(shù)中軟啟動(dòng)時(shí)間和集成度之間的矛盾。解決了線(xiàn)性度低和歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)噪聲大的問(wèn)題。提出的軟啟動(dòng)技術(shù)通過(guò)一款0.6μm CDMOS工藝的高壓降壓DC-DC芯片實(shí)測(cè)驗(yàn)證。提出變歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率的快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)電路。電路通過(guò)檢測(cè)誤差放大器輸出的變化,調(diào)節(jié)壓控振蕩器在負(fù)載瞬態(tài)時(shí)輸出歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率,從而提高電感電流在負(fù)載瞬態(tài)時(shí)的變化速率。電路使用器件少,克服了現(xiàn)有負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)技術(shù)存在的電路復(fù)雜和集成度差的弊端。提出的快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)技術(shù)通過(guò)一款準(zhǔn)備投片的0.6μm CDMOS工藝高壓降壓DC-DC芯片后仿真結(jié)果進(jìn)行驗(yàn)證。提出使能引腳復(fù)用的開(kāi)環(huán)控制方式的歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率外同步電路。電路僅使用延遲單元和組合邏輯來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入芯片使能引腳的時(shí)鐘頻率范圍的檢測(cè)和使能信號(hào)的區(qū)分,控制內(nèi)部時(shí)鐘與外同步時(shí)鐘信號(hào)的切換,歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率被外部時(shí)鐘直接且精確同步。電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,同步頻率精度高。解決現(xiàn)有鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率外同步技術(shù)存在的頻率抖動(dòng)、同步精度和集成度差的問(wèn)題。提出的歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率外同步技術(shù)通過(guò)一款0.6μm CDMOS工藝高壓降壓DC-DC進(jìn)行實(shí)測(cè)驗(yàn)證。提出斜坡補(bǔ)償跟隨歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率變化的自適應(yīng)斜坡補(bǔ)償電路。電路使用電容固定電流充電結(jié)構(gòu)和組合邏輯實(shí)現(xiàn)對(duì)內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)頻率信息提取,并且轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的斜坡補(bǔ)償電流,實(shí)現(xiàn)斜坡補(bǔ)償隨歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率變化自適應(yīng)調(diào)整。解決了由于不同歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率下電感值不同而造成的斜坡補(bǔ)償量過(guò)補(bǔ)償或者欠補(bǔ)償問(wèn)題,保證了環(huán)路穩(wěn)定性的同時(shí)還具有較快的動(dòng)態(tài)響應(yīng)特性。提出的歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)頻率自適應(yīng)斜坡補(bǔ)償電路通過(guò)一款0.6μm CDMOS工藝高壓降壓DC-DC芯片進(jìn)行實(shí)測(cè)驗(yàn)證。提出負(fù)反饋環(huán)路控制的自舉驅(qū)動(dòng)電路。電路通過(guò)檢測(cè)自舉驅(qū)動(dòng)電壓差,并加入負(fù)反饋環(huán)路對(duì)自舉電容的充電電流和壓差進(jìn)行精確控制,實(shí)現(xiàn)自舉驅(qū)動(dòng)。

系統(tǒng)兼容性的DC-DC歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)電源芯片研究
自舉驅(qū)動(dòng)電路直接使用輸入電源供電,提高了自舉驅(qū)動(dòng)能力并且增長(zhǎng)了自舉電壓充電時(shí)間,并且自舉驅(qū)動(dòng)電壓不受續(xù)流階段歐瑪爾OMAL開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓影響。解決了現(xiàn)有的開(kāi)環(huán)結(jié)構(gòu)控制的自舉驅(qū)動(dòng)技術(shù)存在的自舉驅(qū)動(dòng)電壓精度差和驅(qū)動(dòng)能力差的問(wèn)題。提出的電路通過(guò)一款0.6μm CDMOS工藝高壓降壓DC-DC芯片進(jìn)行實(shí)測(cè)驗(yàn)證。