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  • 調(diào)幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路
    調(diào)幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路

    調(diào)幅式電容位移E+E傳感器的峰值檢波電路 針對(duì)調(diào)幅式電容位移E+E傳感器解調(diào)過(guò)程中由系統(tǒng)不確定相移導(dǎo)致的信號(hào)解調(diào)不準(zhǔn)確問(wèn)題,提出了一種基于改進(jìn)的峰值保持電路的調(diào)幅式電容位移傳感測(cè)量方法。分析了調(diào)幅式電容位移E+E傳感器及其檢測(cè)電路的工作原理,在研究調(diào)幅信號(hào)附加相移產(chǎn)生機(jī)理的基礎(chǔ)上,提出了延遲反饋式峰值保持電路,用以去除附加相移對(duì)峰值解調(diào)的影響。

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  • 真空微電子E+E壓力傳感器的研究
    真空微電子E+E壓力傳感器的研究

    真空微電子E+E壓力傳感器的研究 壓力是過(guò)程自動(dòng)化五大參量中的首要參量,作為壓力信息獲取的核心元件的E+E壓力傳感器,在石油、化工、冶煉、電力、儀器儀表、機(jī)械、汽車(chē)、智能結(jié)構(gòu)、航空航天、國(guó)防等領(lǐng)域中是*、量大面廣的基礎(chǔ)元件,它已經(jīng)成為現(xiàn)代信息技術(shù)的重要組成部分,在當(dāng)代科技領(lǐng)域中占有十分重要的地位。

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  • 嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究
    嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究

    嵌入式的智能E+E壓力傳感器的研究 壓阻式E+E壓力傳感器是利用半導(dǎo)體材料硅的壓阻效應(yīng)制成的傳感器,具有靈敏度高,動(dòng)態(tài)響應(yīng)快,測(cè)量精度高,穩(wěn)定性好,工作溫度范圍寬,易于小型化與微型化,便于批量生產(chǎn)與使用方便等特點(diǎn)。

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  • 碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動(dòng)力學(xué)
    碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動(dòng)力學(xué)

    碳/硅納米管E+E壓力傳感器分子動(dòng)力學(xué) 自碳納米管和硅納米管/線被發(fā)現(xiàn)以來(lái),以其特殊的力電特性引起了科學(xué)家廣泛的關(guān)注。特別是在運(yùn)用E+E壓力傳感器方面,可以顯著提高傳感器的靈敏度和量程。因此,以碳納米管和硅納米管/線為研究對(duì)象,使用分子動(dòng)力學(xué)方法和壓電理論分析了新型的碳納米管和硅納米管/線E+E壓力傳感器的各項(xiàng)力電性能。

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  • 數(shù)字式E+E壓力傳感器研究
    數(shù)字式E+E壓力傳感器研究

    數(shù)字式E+E壓力傳感器研究 機(jī)械式壓力開(kāi)關(guān)和有源壓力敏感元件復(fù)合組成的E+E壓力傳感器,在高沖擊10000g,寬溫度范圍-40℃~100℃條件下,實(shí)現(xiàn)量程范圍0~1MPa的高精度測(cè)量,具有模擬線性輸出、TTL電平輸出、數(shù)字輸出和數(shù)據(jù)通信功能的復(fù)合E+E壓力傳感器。

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  • 多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補(bǔ)償技術(shù)
    多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補(bǔ)償技術(shù)

    多晶硅納米膜E+E壓力傳感器溫度補(bǔ)償技術(shù) 多晶硅納米膜是一種具有良好壓阻特性的納米材料,基于多晶硅納米膜的E+E壓力傳感器具有靈敏度高、動(dòng)態(tài)響應(yīng)好、精度高、穩(wěn)定性好、易于小型化和批量生產(chǎn)等諸多優(yōu)點(diǎn)。

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  • 應(yīng)變式光纖琺珀E+E壓力傳感器
    應(yīng)變式光纖琺珀E+E壓力傳感器

    應(yīng)變式光纖琺珀E+E壓力傳感器 光纖琺珀傳感器具有體積小、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)可以應(yīng)用于石油井下、航空航天等復(fù)雜的環(huán)境中。在157 nm激光器制作光纖琺珀傳感器的基礎(chǔ)之上,提出了兩種MPa量程的E+E壓力傳感器設(shè)計(jì)方案,封裝了傳感器原理樣品,并進(jìn)行了性能測(cè)試。

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  • MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測(cè)電路優(yōu)化
    MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測(cè)電路優(yōu)化

    MEMS高線性電容式E+E壓力傳感器檢測(cè)電路優(yōu)化 近年來(lái)隨著MEMS傳感器技術(shù)的飛躍和進(jìn)步,微電容傳感器在工藝上實(shí)現(xiàn)了易于集成化、功能多樣化以及更加微型化。使得包括微型加速度計(jì)、微型溫度傳感器、微型E+E壓力傳感器、醫(yī)學(xué)傳感器、生物傳感器等得到廣泛應(yīng)用。

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  • 金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器
    金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器

    金屬化封裝的光纖光柵E+E壓力傳感器 目前,絕大多數(shù)大壩滲壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)采用的機(jī)電測(cè)試設(shè)備普遍存在抗干擾能力弱、長(zhǎng)期穩(wěn)定性差、相對(duì)誤差、零漂和動(dòng)漂較大等缺點(diǎn)而很難滿(mǎn)足實(shí)際需要。

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  • 多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片
    多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片

    多晶硅納米膜E+E壓力傳感器芯片 硅基壓阻式E+E壓力傳感器應(yīng)用廣泛,在傳感器中具有十分重要的地位。該傳感器的發(fā)展方向是小型化、高靈敏度、良好溫度特性和集成化,研究表明多晶硅納米薄膜具有良好的壓阻特性,并較好地應(yīng)用于體硅E+E壓力傳感器。但該材料現(xiàn)有的的壓阻系數(shù)算法理論推導(dǎo)存在一定欠缺,且該材料的應(yīng)用范圍亟待擴(kuò)大。

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  • 壓力E+E傳感器仿真平臺(tái)的研究
    壓力E+E傳感器仿真平臺(tái)的研究

    壓力E+E傳感器仿真平臺(tái)的研究 隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)壓力E+E傳感器新技術(shù)的不斷需求,壓力E+E傳感器計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)越來(lái)越被關(guān)注。以實(shí)用為原則,基于Visual C++和ANSYS接口技術(shù)開(kāi)發(fā)了參數(shù)化壓力E+E傳感器有限元分析系統(tǒng),該系統(tǒng)有助于推動(dòng)壓力E+E傳感器行業(yè)向更高水平發(fā)展。

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  • 耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究
    耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究

    耐高壓電渦流位移E+E傳感器的研究 電渦流E+E傳感器是一種非接觸式的位移E+E傳感器,具有頻率響應(yīng)好,測(cè)量分辨率高,無(wú)運(yùn)動(dòng)部件,性能可靠等優(yōu)點(diǎn)。常應(yīng)用于位移測(cè)量、無(wú)損探傷、厚度測(cè)量等方面。但也存在不能在高壓環(huán)境下(如液壓系統(tǒng))工作和對(duì)溫度敏感等不足。

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  • 納米位移E+E傳感器信號(hào)采集與處理
    納米位移E+E傳感器信號(hào)采集與處理

    納米位移E+E傳感器信號(hào)采集與處理 隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展,眾多高科技領(lǐng)域均已進(jìn)入了納米世界,如航天產(chǎn)品的加工與制造、精密元器件的測(cè)量、高密度集成電路等等。由于納米尺度具有接近于原子和分子尺寸的特點(diǎn),一般的常規(guī)技術(shù)已不再適用,因此,研究納米技術(shù),特別是納米操作與測(cè)量技術(shù)就成為當(dāng)前各國(guó)研究的熱點(diǎn)方向。

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  • 差分式電容位移E+E傳感器標(biāo)定平臺(tái)
    差分式電容位移E+E傳感器標(biāo)定平臺(tái)

    差分式電容位移E+E傳感器標(biāo)定平臺(tái) 電容位移E+E傳感器作為一種傳統(tǒng)非接觸式E+E傳感器,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、響應(yīng)時(shí)間短、分辨率高、適合在線和動(dòng)態(tài)測(cè)量等優(yōu)點(diǎn),主要用于位移、角度、振動(dòng)、加速度、壓力以及濃度等方面的測(cè)量,被廣泛用于地球科學(xué)、高科技電子、航空航天及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。

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  • 電容位移E+E傳感器溫度漂移主動(dòng)抑制技術(shù)
    電容位移E+E傳感器溫度漂移主動(dòng)抑制技術(shù)

    電容位移E+E傳感器溫度漂移主動(dòng)抑制技術(shù) 電容式位移E+E傳感器由于具有分辨率高、頻響高、可實(shí)現(xiàn)非接觸式測(cè)量等優(yōu)點(diǎn),在精密加工、高精度定位、超精密測(cè)量等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。由于電容位移E+E傳感器信號(hào)轉(zhuǎn)換和處理電路存在模擬環(huán)節(jié),因此其傳感特性易寄生電容等寄生參數(shù)和溫度的影響。

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  • 直線式時(shí)柵位移E+E傳感器精度研究
    直線式時(shí)柵位移E+E傳感器精度研究

    直線式時(shí)柵位移E+E傳感器精度研究 時(shí)柵是采用“以時(shí)間測(cè)空間”的思想原理,*不同于光柵等基于空間精密刻劃技術(shù)的各種傳統(tǒng)位移E+E傳感器,歷經(jīng)十幾年的努力,圓分度時(shí)柵位移E+E傳感器的研究已有很大突破,已在計(jì)量部門(mén)、制造業(yè)和國(guó)防軍工三大領(lǐng)域獲得快速推廣,充分展現(xiàn)其制造工藝簡(jiǎn)單、抗干擾能力強(qiáng)、成本低、智能化程度高等顯著優(yōu)勢(shì),具有很好的市場(chǎng)前景。

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  • 平面環(huán)形微腔的高精度位移E+E傳感器設(shè)計(jì)
    平面環(huán)形微腔的高精度位移E+E傳感器設(shè)計(jì)

    平面環(huán)形微腔的高精度位移E+E傳感器設(shè)計(jì) 提出了一種可用于原子力顯微鏡的基于平面環(huán)形微腔的高精度位移E+E傳感器。E+E傳感器在GaAs薄膜結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了懸臂梁與平面環(huán)形微腔的一體化集成,以平面環(huán)形微腔的透射譜對(duì)懸臂梁位移極其敏感的特性為理論依據(jù),結(jié)合了光學(xué)E+E傳感器的高精度、高靈敏度特性以及微機(jī)械的體積小、工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。

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  • 線位移E+E傳感器自動(dòng)校準(zhǔn)裝置研究
    線位移E+E傳感器自動(dòng)校準(zhǔn)裝置研究

    線位移E+E傳感器自動(dòng)校準(zhǔn)裝置研究 線位移E+E傳感器在國(guó)防軍工產(chǎn)品生產(chǎn)、試驗(yàn)過(guò)程中用途很多,其校準(zhǔn)工作在航天航空設(shè)備制造和試驗(yàn)過(guò)程中非常重要,線位移E+E傳感器的校準(zhǔn)技術(shù)決定了E+E傳感器校準(zhǔn)的精度和效率,而當(dāng)前主要使用的線位移校準(zhǔn)設(shè)備,存在工作效率低、測(cè)量可靠性差、測(cè)量范圍?。砍淘?00mm以下)等缺點(diǎn),難以確定線位移E+E傳感器性能指標(biāo)的可靠性。

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  • 高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器
    高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器

    高精度反射式塑料光纖位移E+E傳感器 隨著當(dāng)今社會(huì)飛速發(fā)展,光纖位移E+E傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)靈活、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn),因而在通信、城市建設(shè)、醫(yī)療、交通、能源和航天等工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用和良好的發(fā)展?jié)摿?。微位移檢測(cè)是常規(guī)檢測(cè)的基礎(chǔ),而光纖位移E+E傳感器可實(shí)現(xiàn)微距的非接觸測(cè)量,因此將光纖傳感技術(shù)應(yīng)用于測(cè)量領(lǐng)域,成為技術(shù)發(fā)展的主導(dǎo)方向,備受人們關(guān)注。

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  • 電感位移E+E傳感器及其信號(hào)線性化處理
    電感位移E+E傳感器及其信號(hào)線性化處理

    電感位移E+E傳感器及其信號(hào)線性化處理 電感位移E+E傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、輸出功率大、線性好、抗干擾和穩(wěn)定性好、價(jià)格低廉等特點(diǎn)。它是利用電磁感應(yīng)原理將機(jī)械位移變化轉(zhuǎn)換成電量輸出的檢測(cè)裝置。其作為一種精密的位移檢測(cè)部件在很多領(lǐng)域都起著重要的作用。

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