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時(shí)柵E+E位移傳感器的電磁場(chǎng)分析及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化 時(shí)柵E+E位移傳感器是一種通過對(duì)時(shí)間測(cè)量而完成空間測(cè)量的柵式傳感器，這里是狹隘地指磁場(chǎng)式時(shí)柵E+E位移傳感器，場(chǎng)式時(shí)柵和變耦合系數(shù)型時(shí)柵是其中的兩大類型，它們都是以電磁場(chǎng)作為媒介將空間位移量轉(zhuǎn)化成電信號(hào)。

新型光場(chǎng)式時(shí)柵E+E位移傳感器原理與實(shí)驗(yàn)研究 精密測(cè)量技術(shù)水平體現(xiàn)了一個(gè)國家的綜合實(shí)力和技術(shù)水平，制造技術(shù)的發(fā)展、軍工裝備的提升和高技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展等都依賴于精密測(cè)量技術(shù)的發(fā)展水平。在眾多精密位移測(cè)量方法中，光學(xué)測(cè)量以其高精度、大量程、高可靠性等優(yōu)勢(shì)占據(jù)主導(dǎo)的地位，其中又以激光干涉儀和光柵傳感器應(yīng)用Z為廣泛。

大量程場(chǎng)式時(shí)柵E+E位移傳感器設(shè)計(jì)技術(shù)研究 納米位移測(cè)量技術(shù)是現(xiàn)代科技發(fā)展的基礎(chǔ)和導(dǎo)向，也是重大科學(xué)的前沿，國內(nèi)多位學(xué)者已經(jīng)展開了納米測(cè)量技術(shù)的相關(guān)研究。納米直線E+E位移傳感器是現(xiàn)代工業(yè)、國防軍工等特殊需求的核心技術(shù)和關(guān)鍵部件。目前，量程可以達(dá)到幾百毫米的納米級(jí)E+E位移傳感器主要是包括光柵、激光干涉儀、感應(yīng)同步器、容柵、磁柵等。

磁致伸縮E+E位移傳感器的優(yōu)化設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn) 磁致伸縮直線E+E位移傳感器是利用磁致伸縮材料的磁致伸縮效應(yīng)及其逆效應(yīng)實(shí)現(xiàn)位移測(cè)量的一種非接觸式E+E位移傳感器。它有非接觸、精度高、重復(fù)性好、穩(wěn)定性可靠、環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)、成本適中等眾多優(yōu)點(diǎn)。它被廣泛應(yīng)用于石油、化工、水利、飲料、航空、船舶等行業(yè)的各種罐儲(chǔ)的液位測(cè)量系統(tǒng)中，另外在機(jī)床、液壓控制等位移測(cè)量中也有廣泛應(yīng)用。

磁致伸縮材料及其E+E位移傳感器研制 對(duì)磁致伸縮材料及其E+E位移傳感器的室溫及高溫性能進(jìn)行了研究,為磁致伸縮材料及其E+E位移傳感器在惡劣工況（如傾斜搖擺、振動(dòng)沖擊）及高溫高壓等特殊環(huán)境方面的應(yīng)用作準(zhǔn)備。研究并設(shè)計(jì)了高溫大磁致伸縮材料,并在此基礎(chǔ)上制備出了高居里溫度（Tc=366.3℃）、大飽和磁致伸縮系數(shù)（λ_s=28×10~（-6））磁致伸縮材料。

激光E+E位移傳感器輸出特性分析及應(yīng)用 光學(xué)精密測(cè)量相比傳統(tǒng)的測(cè)量方式具有非接觸性、高靈敏度、高精度及快速與實(shí)時(shí)性等優(yōu)點(diǎn),在科學(xué)研究、工業(yè)生產(chǎn)、空間技術(shù)、國防等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,是一種非常*測(cè)量技術(shù)。基于三角測(cè)量法的激光E+E位移傳感器近年來得到了快速發(fā)展,在零件的尺寸測(cè)量,三維輪廓測(cè)量,產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)等領(lǐng)域極大的提高了測(cè)量效率和精度。

微E+E位移傳感器的環(huán)形諧振腔特性研究 微E+E位移傳感器,是實(shí)現(xiàn)微小位移測(cè)試的敏感器件,在高精密控制、微操作、微納米定位系統(tǒng)、工程厚度測(cè)試等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。（MEMS）\NEMS技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)微位移傳感提出了更高精度的要求,甚至要求在納米尺度中實(shí)現(xiàn)微小位移的高靈敏快速探測(cè)。

磁致伸縮E+E位移傳感器軟件和硬件電路研究 傳感器技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)與通信技術(shù)成為現(xiàn)代信息科學(xué)技術(shù)的三大支柱。傳感器既是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的源頭或“感官”,又是信息社會(huì)賴以存在和發(fā)展的物質(zhì)與技術(shù)基礎(chǔ)。是人類日常生活、生產(chǎn)過程、科學(xué)實(shí)驗(yàn)、軍事活動(dòng)等*的組成部分。

全數(shù)字式電容E+E位移傳感器的研制 由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、動(dòng)態(tài)特性好、能實(shí)現(xiàn)非接觸式測(cè)量等優(yōu)點(diǎn),電容E+E位移傳感器廣泛應(yīng)用于超精密加工、高精度定位、超精密測(cè)量等領(lǐng)域?，F(xiàn)有電容E+E位移傳感器普遍采用測(cè)頭與測(cè)量電路分立式設(shè)計(jì),信號(hào)傳輸電纜的寄生電容等分布參數(shù)對(duì)傳感器的分辨力、穩(wěn)定性等性能影響顯著,因此信號(hào)傳輸距離受到嚴(yán)重限制。

E+E位移傳感器的發(fā)展及研究 E+E位移傳感器又稱為線性傳感器,它可以把位移量轉(zhuǎn)換為電量,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)位移量的檢測(cè)。在實(shí)際工程應(yīng)用中,E+E位移傳感器有著非常重要的作用。對(duì)各種常見的E+E位移傳感器進(jìn)行了介紹,闡述并比較了它們的工作原理、應(yīng)用場(chǎng)合和優(yōu)缺點(diǎn),可以為從事相關(guān)領(lǐng)域工作的技術(shù)人員提供參考,以便更好地利用和發(fā)展這些技術(shù)。

電感式角E+E位移傳感器的研制與結(jié)構(gòu)分析 位移測(cè)量具有廣泛應(yīng)用,電感式傳感器以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、輸出功率大、線性好、抗干擾和穩(wěn)定性好、價(jià)格低廉等特點(diǎn)獲得了大量的應(yīng)用。針對(duì)目前電感式E+E位移傳感器的應(yīng)用現(xiàn)狀,在對(duì)電感式直線E+E位移傳感器深入分析的基礎(chǔ)上,提出了一種新型結(jié)構(gòu)的電感式角E+E位移傳感器。

時(shí)柵角E+E位移傳感器自標(biāo)定研究 精密測(cè)量?jī)x器標(biāo)定技術(shù)是保證產(chǎn)品質(zhì)量的重要手段，也是計(jì)量領(lǐng)域科學(xué)研究的重要方面。角位移測(cè)量大量存在于以制造業(yè)為代表的工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)實(shí)踐中。時(shí)柵作為一種新型的E+E位移傳感器，利用時(shí)間測(cè)量空間位移，以較低的加工成本獲得了較高的測(cè)量精度。自標(biāo)定技術(shù)可以在沒有標(biāo)準(zhǔn)器和參考母儀的條件下實(shí)現(xiàn)傳感器系統(tǒng)的誤差自標(biāo)定。

調(diào)頻式電容E+E位移傳感器中鑒頻技術(shù)的研究 電容E+E位移傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、動(dòng)態(tài)性能好、分辨力高,能實(shí)現(xiàn)非接觸式測(cè)量,可檢測(cè)位移、平面度、微振動(dòng)等,廣泛應(yīng)用于高精密加工和測(cè)量領(lǐng)域。調(diào)頻式電容E+E位移傳感器一般采用LC振蕩電路作為調(diào)頻電路,在納米級(jí)位移測(cè)量中,調(diào)頻信息較微弱,且輸入輸出特性存在一定非線性。

激光E+E位移傳感器的無線通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 激光E+E位移傳感器在工業(yè)中的長(zhǎng)度、距離以及三維形貌等檢測(cè)中有著廣泛的應(yīng)用。市場(chǎng)上的激光E+E位移傳感器的數(shù)據(jù)傳輸和電源供電大都是通過有線電纜實(shí)現(xiàn)的。

智能E+E位移傳感器系統(tǒng)的研究 隨著計(jì)算機(jī)測(cè)控系統(tǒng)特別是基于現(xiàn)場(chǎng)總線的多傳感器計(jì)算機(jī)測(cè)控系統(tǒng)的發(fā)展，智能傳感器系統(tǒng)作為一個(gè)與之相應(yīng)的新興研究方向，正受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。然而，雖然近年來它的研究與開發(fā)已取得一定成果，但還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足實(shí)際需求，尤其在位移測(cè)量領(lǐng)域更是急待發(fā)展。

E+E位移傳感器的像差檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)的研究 傳統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)對(duì)于幾何像差的檢測(cè)通常采用星點(diǎn)法、哈特曼法或刀口陰影法等,其測(cè)量結(jié)果受人為主觀因素影響較大、精度不高。為滿足光學(xué)系統(tǒng)測(cè)量像差的精度要求,本系統(tǒng)在傳統(tǒng)的哈特曼（Hartmann）檢測(cè)方法基礎(chǔ)上,引入尺E+E位移傳感器,結(jié)合高分辨率CCD作為光電接收裝置,經(jīng)自動(dòng)對(duì)焦和圖像處理。

非對(duì)稱結(jié)構(gòu)差動(dòng)E+E位移傳感器參數(shù)化仿真與優(yōu)化 以非對(duì)稱結(jié)構(gòu)差動(dòng)E+E位移傳感器為研究對(duì)象，在電磁分析軟件AnsoftMaxwell2D環(huán)境下，對(duì)其進(jìn)行了建模及電磁性能仿真分析。在軟件腳本錄制功能的基礎(chǔ)上，提出了一種基于VB Script的差動(dòng)E+E位移傳感器參數(shù)化建模方法。

增量式時(shí)柵E+E位移傳感器原理及系統(tǒng)研究 圓分度的精度測(cè)量是幾何量測(cè)量Z重要的內(nèi)容之一,其分度器件從機(jī)械式、光學(xué)式、光學(xué)機(jī)械式,發(fā)展到機(jī)電、光機(jī)電相結(jié)合的新型分度器件,如光柵、磁柵和感應(yīng)同步器等。時(shí)柵是一種全新概念,它是機(jī)械、電子和微處理器相結(jié)合的新型圓分度器件。

厚膜電容式微E+E位移傳感器及其信號(hào)處理研究 為深入研究微納米環(huán)境中物體的受力與運(yùn)動(dòng)狀態(tài),建立納米尺度下位移、力檢測(cè)的理論方法,實(shí)現(xiàn)微納米環(huán)境下的操作與位置感知,為PZT（壓電陶瓷）驅(qū)動(dòng)的微納操作平臺(tái)的實(shí)時(shí)觀測(cè)創(chuàng)造條件,提出與微納米環(huán)境下相適應(yīng)的微E+E位移傳感器的設(shè)計(jì)、制備與測(cè)試方法,研制出能夠用于檢測(cè)納米級(jí)位移的新型高精度厚膜雙電容式微E+E位移傳感器。

時(shí)柵角E+E位移傳感器自標(biāo)定與誤差修正研究 時(shí)柵角E+E位移傳感器是根據(jù)時(shí)空轉(zhuǎn)換思想而研發(fā)的一種新型傳感器,近年來開始向產(chǎn)業(yè)化邁進(jìn)。目前,時(shí)柵傳感器雖然在加工過程摒棄了空間超精密刻劃技術(shù),但是其檢驗(yàn)與標(biāo)定環(huán)節(jié)卻仍依賴于空間超精密刻劃技術(shù)的傳感器作為參考基準(zhǔn)。